LED displeju ražošana: procesi, standarti un kvalitātes kontrole

Introduction to LED Display Technology

ModernsLED displeju ekrānipaļaujas uz pusvadītāju elektroluminiscenci, kur InGaN/GaN mikroshēmas izstaro zilu gaismu (450 nm), kas ar fosfora pārklājuma palīdzību tiek pārveidota baltā krāsā. Augstas klases displeji sasniedz 16 bitu pelēktoņus, 3840 Hz atsvaidzes intensitāti un 5000 nitu spilgtumu lietošanai ārpus telpām.

Izejvielas un komponenti

1. LED mikroshēmas

• TipsInGaN zilās mikroshēmas (2835/1010 iepakojumi)

• Specifikācijas:

• Viļņa garums: 450 ± 2 nm

• Priekšējais spriegums: 2,8–3,4 V @ 20 mA

• Gaismas efektivitāte: ≥180 lm/W

2. Iekapsulēšanas materiāli

3. Substrāti

• Alumīnija PCBSiltumvadītspēja ≥2,2 W/m·K, Cu biezums 35±5 μm

• Keramikas PCBAlN substrāti (24 W/m·K) lieljaudas LED masīviem

LED lampu ražošanas darbplūsma

1. Štamplonēšana

• LīmeSudraba epoksīdsveķi (80% Ag saturs)

• Konservēšana150 ℃/1 h, savienojuma līnijas biezums 25 ± 5 μm

• PrecizitāteNovietošanas kļūda ≤±15μm

2. Vadu savienošana

• Vads99,99% Au, diametrs 1,0 mili

• ParametriUltraskaņas jauda 50 W, spēks 30 g, cikla laiks 0,3 s

3. Iekapsulēšana

• ProcessVakuuma iepildīšana (≤1kPa, 30 minūšu degazācija)

• Konservēšana135 ℃/4 stundas, burbuļa diametrs ≤30 μm

4. Galīgā montāža

• Tapu veidošanaBīdes griešana ±0,1 mm pielaide

• BinningViļņa garums ±2 nm, gaismas intensitāte ±5%

SMD LED ražošanas process

1. Lodēšanas pastas drukāšana

• TrafaretsLāzergriezts nerūsējošais tērauds, 0,12 mm biezums

• LodētSAC305 sakausējums, tilpums 80–120 μm (SPI monitorings)

2. Komponentu izvietojums

• MašīnaĀtrgaitas paņemšana un novietošana (30 000 apgriezieni stundā)

• Precizitāte: ±0,03 mm (X/Y), ±0,5° (θ)

3. Atkārtota lodēšana

• Profils:

• Uzkarsēšana: 1-2 ℃/s līdz 150 ℃

• Maksimālā temperatūra: 245 ℃ (60 s virs 217 ℃)

• AtmosfēraSlāpeklis (O₂ <1000 ppm)

4. Formēšana un sagriešana kubiņos

• FormēšanaPārneses process @8-12MPa, 150℃/180s

• Lāzergriešana355 nm UV lāzers, 5 W jauda, ​​100 mm/s ātrums

Mini/mikro LED uzlabotie procesi

1. Masas pārneses tehnoloģija

• Lāzera pacelšanās (LLO):

• Pārneses ātrums: 99,99% (pētniecība un attīstība), 99,9% (ražošana)

• Precizitāte: ±1,5 μm izvietojums

2. Mikroshēma uz plates (COB)

• Pikseļu blīvums100–200 pikseļi collā

• IekapsulēšanaMelns epoksīda pildījums (ΔE <1,5)

3. Automobiļu klases standarti

• AEC-Q102Darbības temperatūra: no -40 ℃ līdz 125 ℃, 85 ℃/85 % relatīvais mitrums/1000 h

• Vibrācijas tests50G triecienizturība (MIL-STD-883 metode 2002)

Kvalitātes kontroles sistēmas

1. Pārbaude procesa laikā

• AOIDefektu noteikšana ≥99,9% (lodēšanas tiltiņi, trūkstošas ​​detaļas)

• RentgensLodēto savienojumu tukšums <15%

2. Vides testēšana

3. Fotometriskā pārbaude

• Integrējošā sfēraCCT pielaide ±150K, CRI ≥80

• Skata leņķis≥140° horizontāli/vertikāli, ≤50% spilgtuma kritums

Iepakošana un loģistika

1. Mitruma aizsardzība

• MSL līmenis3. līmenis (72 stundu grīdas kalpošanas laiks @ 30℃/60% relatīvais mitrums)

• Sausais iepakojums<10% relatīvais mitrums ar desikantu

2. Triecienizturība/vibrācijas izturība

• ISTA 3AIztur 1,2 miljonu kritienu, 50G triecienus

3. Atbilstības dokumentācija

• DrošībaUL/cUL, CE, CCC sertifikāts

• VidesRoHS 2.0, REACH SVHC <0,1 %