LED Displaybildschiermproduktioun: Prozesser, Standarden a Qualitéitskontroll

Aféierung an d'LED-Displaytechnologie

ModernLED-Bildschirmerbaséieren op Hallefleeder-Elektrolumineszenz, wou InGaN/GaN-Chips blo Liicht (450 nm) ausstrahlen, dat iwwer eng Phosphorbeschichtung a Wäiss ëmgewandelt gëtt. High-End-Bildschirmer erreechen 16-Bit-Grostufen, 3840 Hz Erfrëschungsraten an 5.000 Nits Hellegkeet fir Outdoor-Applikatiounen.

Réimaterialien a Komponenten

1. LED-Chips

• TypInGaN Blue Chips (2835/1010 Päckchen)

• Spezifikatiounen:

• Wellelängt: 450 ± 2 nm

• Virspannung: 2,8-3,4V @20mA

• Liichtleistung: ≥180 lm/W

2. Kapselmaterialien

3. Substrater

• Aluminium PCBWärmeleitfäegkeet ≥2,2 W/m·K, Cu-Dicke 35 ± 5 μm

• Keramik PCBAlN-Substrater (24W/m·K) fir LED-Arrays mat héijer Leeschtung

LAMP LED Produktiounsworkflow

1. Matrizverbindung

• KlebstoffSëlwerepoxy (80% Ag-Gehalt)

• Aushärtung: 150℃/1 Stonn, Bindungslinnendéck 25±5μm

• GenauegkeetPlacementfehler ≤±15μm

2. Drotverbindung

• Drot99,99% Au, Duerchmiesser 1,0 Mill

• ParameterenUltraschallleistung 50W, Kraaft 30g, Zykluszäit 0,3s

3. Kapselung

• ProzessVakuum-Gipsung (≤1 kPa, 30 Minutte Entgasung)

• Aushärtung: 135 ℃/4 Stonnen, Blasenduerchmiesser ≤30μm

4. Schlussmontage

• StiftformungSchéierschnëtt ±0,1 mm Toleranz

• BinningWellelängt ±2nm, Liichtstäerkt ±5%

SMD LED Fabrikatiounsprozess

1. Lötpaste-Drock

• SchablounLasergeschniddene Edelstahl, 0,12 mm Déckt

• LäitSAC305 Legierung, Volumen 80-120μm (SPI iwwerwaacht)

2. Komponentenplazéierung

• MaschinnHéichgeschwindegkeet Pick-and-Place (30.000 CPH)

• Präzisioun: ±0,03 mm (X/Y), ±0,5° (θ)

3. Reflow-Lötung

• Profil:

• Virhëtzen: 1-2℃/s bis 150℃

• Peak: 245 ℃ (60s iwwer 217 ℃)

• AtmosphärStéckstoff (O₂ <1.000 ppm)

4. Formen a Wierfelen

• FormenTransferprozess @8-12MPa, 150℃/180s

• Laserschneiden355nm UV-Laser, 5W Leeschtung, Geschwindegkeet vun 100mm/s

Mini/Mikro LED Fortgeschratt Prozesser

1. Massentransfertechnologie

• Laser Lift-Off (LLO):

• Transferrate: 99,99% (F&E), 99,9% (Produktioun)

• Genauegkeet: ±1,5 μm Placement

2. Chip-on-Board (COB)

• Pixeldicht: 100-200 PPI

• KapselungSchwaarz Epoxyfëllung (ΔE <1,5)

3. Standarden fir Automobilindustrie

• AEC-Q102Betribstemperatur: -40℃ bis 125℃, 85℃/85%RH/1.000 Stonnen

• Vibratiounstest50G Schock (MIL-STD-883 Method 2002)

Qualitéitskontrollsystemer

1. Inspektioun am Prozess

• AOIDefektdetektioun ≥99,9% (Lötbrécken, fehlend Deeler)

• RöntgenstrahlLächerlechkeet <15% a Läitverbindungen

2. Ëmweltprüfung

3. Photometresch Tester

• Integréierend SphärCCT-Toleranz ±150K, CRI ≥80

• Betrachtungswénkel: ≥140° horizontal/vertikal, ≤50% Hellegkeetsofsenkung

Verpackung a Logistik

1. Feuchtigkeitsschutz

• MSL-NiveauNiveau 3 (72 Stonnen Buedemliewensdauer bei 30℃/60%RH)

• Dréche Verpackung<10% RH mat Trocknungsmëttel

2. Schock-/Vibratiounsbeständegkeet

• ISTA 3AIwwerlieft 1,2 Millioune Fäll, 50G Impakter

3. Konformitéitsdokumentatioun

• Sécherheet: UL/cUL, CE, CCC

• ËmweltRoHS 2.0, REACH SVHC <0,1%