Manifattura ta' Skrins tal-Wiri LED: Proċessi, Standards, u Kontroll tal-Kwalità

Introduzzjoni għat-Teknoloġija tal-Wiri LED

ModernSkrins tal-Wiri LEDjiddependu fuq l-elettroluminexxenza tas-semikondutturi, fejn iċ-ċipep InGaN/GaN jarmu dawl blu (450nm) ikkonvertit f'abjad permezz ta' kisi tal-fosfru. Il-wirjiet high-end jiksbu skala griża ta' 16-bit, rati ta' aġġornament ta' 3840Hz, u luminożità ta' 5,000 nits għal applikazzjonijiet fuq barra.

Materja Prima u Komponenti

1. Ċipep LED

• TipĊipep blu InGaN (pakketti 2835/1010)

• Speċifikazzjonijiet:

• Tul tal-mewġa: 450±2nm

• Vultaġġ 'il Quddiem: 2.8-3.4V @20mA

• Effikaċja Luminuża: ≥180 lm/W

2. Materjali ta' Inkapsulament

3. Sottostrati

• PCB tal-aluminjuKonduttività termali ≥2.2W/m·K, Ħxuna tar-Cu 35±5μm

• PCB taċ-ċeramikaSottostrati tal-AlN (24W/m·K) għal matriċi LED ta' qawwa għolja

Fluss tax-Xogħol tal-Produzzjoni tal-LAMP LED

1. Twaħħil tal-Die

• KollaEpossi tal-fidda (kontenut ta' Ag ta' 80%)

• It-tqaddid150℃/1 siegħa, ħxuna tal-linja tal-irbit 25±5μm

• PreċiżjoniŻball fit-tqegħid ≤±15μm

2. Twaħħil tal-Wajer

• Wajer99.99% Au, dijametru 1.0mil

• ParametriQawwa ultrasonika 50W, forza 30g, ħin taċ-ċiklu 0.3s

3. Inkapsulament

• ProċessPotting bil-vakwu (≤1kPa, 30min tneħħija tal-gass)

• It-tqaddid135℃/4 sigħat, dijametru tal-bużżieqa ≤30μm

4. Assemblea Finali

• Formazzjoni tal-BrilliTolleranza ta' ±0.1mm għat-tqattigħ bil-shear

• BinningTul ta' mewġa ±2nm, intensità luminuża ±5%

Proċess ta' Manifattura tal-LED SMD

1. Stampar tal-Pejst tal-Istann

• StensilAzzar inossidabbli maqtugħ bil-lejżer, ħxuna ta' 0.12mm

• SaldaturaLiga SAC305, volum 80-120μm (monitorjat mill-SPI)

2. Tqegħid tal-Komponenti

• MagnaPick-and-place b'veloċità għolja (30,000 CPH)

• Preċiżjoni: ±0.03mm (X/Y), ±0.5° (θ)

3. Saldjar bir-rifluss

• Profil:

• Saħħan minn qabel: 1-2℃/s sa 150℃

• L-ogħla temperatura: 245℃ (60s 'il fuq minn 217℃)

• AtmosferaNitroġenu (O₂ <1,000ppm)

4. Molding u Tqattigħ f'kubi

• IffurmarProċess ta' trasferiment @8-12MPa, 150℃/180s

• Qtugħ bil-lejżerLejżer UV ta' 355nm, qawwa ta' 5W, veloċità ta' 100mm/s

Proċessi Avvanzati tal-Mini/Mikro LED

1. Teknoloġija tat-Trasferiment tal-Massa

• Tlugħ bil-Laser (LLO):

• Rata ta' trasferiment: 99.99% (R&Ż), 99.9% (produzzjoni)

• Preċiżjoni: ±1.5μm tqegħid

2. Ċippa fuq Bord (COB)

• Densità tal-Pixel100-200 PPI

• InkapsulamentMili epossidiku iswed (ΔE <1.5)

3. Standards tal-Grad tal-Karozzi

• AEC-Q102Operazzjoni minn -40℃ sa 125℃, 85℃/85%RH/1,000 siegħa

• Test tal-VibrazzjoniXokk ta' 50G (Metodu MIL-STD-883 2002)

Sistemi ta' Kontroll tal-Kwalità

1. Spezzjoni Matul il-Proċess

• Azzjoni tal-InterazzjoniSejbien ta' difetti ≥99.9% (pontijiet tal-istann, partijiet neqsin)

• Raġġi-XTbattil <15% fil-ġonot tal-istann

2. Ittestjar Ambjentali

3. Ittestjar Fotometriku

• Integrazzjoni tal-IsferaTolleranza tas-CCT ±150K, CRI ≥80

• Angolu tal-Viżjoni≥140° orizzontali/vertikali, tnaqqis fil-luminożità ta' ≤50%

Ippakkjar u Loġistika

1. Protezzjoni mill-Umdità

• Livell tal-MSLLivell 3 (ħajja ta' 72 siegħa fuq l-art @30℃/60%RH)

• Ippakkjar Niexef<10% RH b'dessikanti

2. Reżistenza għax-Xokkijiet/Vibrazzjonijiet

• ISTA 3AJirreżisti waqgħat ta' 1.2m, impatti ta' 50G

3. Dokumentazzjoni ta' Konformità

• SigurtàUL/cUL, CE, CCC

• AmbjentaliRoHS 2.0, REACH SVHC <0.1%